華商龍科技有限公司
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Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結(jié)合了成熟的工業(yè)標準功率模塊和封裝技術(shù)的優(yōu)點。得益于多種封裝優(yōu)化，碳化硅的各種優(yōu)點得以充分利用。
碳化硅功率模塊換向電感降低可以實現(xiàn)SiC MOSFET的全速開關(guān)。更高的開關(guān)速度可以轉(zhuǎn)換成更高的開關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實現(xiàn)更高的功率密度。
碳化硅功率模塊的關(guān)鍵特性
更高的開關(guān)頻率，夠優(yōu)化濾波元件并降低其成本
冷卻設(shè)備更緊湊，降低功率損耗，從而提升效率并降低系統(tǒng)成本和規(guī)模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
標準工業(yè)封裝，按照碳化硅的要求進行優(yōu)化：電感，低熱阻
針對實際應(yīng)用優(yōu)化芯片組
碳化硅功率模塊的應(yīng)用
太陽能逆變器：升壓電路和逆變器應(yīng)用
儲能系統(tǒng)：大效率和低噪聲
UPS：高效雙轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
電機驅(qū)動器：主動前端與電機側(cè)（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋）
電源：牽引應(yīng)用、感應(yīng)加熱等的助電源
領(lǐng)先的芯片和封裝技術(shù)，實現(xiàn)最大能效
混合碳化硅模塊：功率損耗降低50%，用簡便
IGBT開關(guān)與碳化硅肖特基二極管相結(jié)合
幾乎沒有二極管損耗，并顯著減少IGBT開關(guān)損耗
高速IGBT和碳化硅肖特基二極管使關(guān)損耗降低50%
輕松實現(xiàn)成本優(yōu)化的碳化硅解決方案：動器或系統(tǒng)無需進行重大設(shè)計變更，使用的碳化硅芯片面積小，能夠限制成本
SiC MOSFET功率模塊主要應(yīng)用：太陽能逆變器，儲能系統(tǒng)，大功率汽車充電站，高效、高速電機驅(qū)動。 |
| 公司名稱： | 華商龍科技有限公司 | 公司類型： | 企業(yè)單位 () |
| 所 在 地： | 廣東/深圳市 | 公司規(guī)模： | |
| 注冊資本： | 未填寫 | 注冊年份： | 2001 |
| 資料認證： | ||
| 保 證 金： | 已繳納 0.00 元 | |
| 經(jīng)營范圍： | 商用車電驅(qū)SiC碳化硅MOSFET模塊，水冷SiC碳化硅功率模塊，工商業(yè)儲能變流器SiC MOSFET模塊，碳化硅功率模塊，汽車級全碳化硅功率模塊，電動汽車碳化硅（SiC）大功率模塊，隔離驅(qū)動IC，牽引應(yīng)用SiC-MOSFET功率模塊,汽車電氣化, 牽引逆變器SiC碳化硅功率模塊, 全SiC 功率模塊，主逆變器SiC-MOSFET，工業(yè)、電動汽車和能源應(yīng)用，定制SiC 功率模塊，碳化硅功率模塊，標準封裝SiC MOSFET模塊，封裝技術(shù) | |
| 銷售的產(chǎn)品： | 商用車電驅(qū)SiC碳化硅MOSFET模塊，水冷SiC碳化硅功率模塊，工商業(yè)儲能變流器SiC MOSFET模塊，碳化硅功率模塊，汽車級全碳化硅功率模塊，電動汽車碳化硅（SiC）大功率模塊，隔離驅(qū)動IC，牽引應(yīng)用SiC-MOSFET功率模塊,汽車電氣化, 牽引逆變器SiC碳化硅功率模塊, 全SiC 功率模塊，主逆變器SiC-MOSFET，工業(yè)、電動汽車和能源應(yīng)用，定制SiC 功率模塊，碳化硅功率模塊，標準封裝SiC MOSFET模塊，封裝技術(shù) | |
| 采購的產(chǎn)品： | 商用車電驅(qū)SiC碳化硅MOSFET模塊，水冷SiC碳化硅功率模塊，電驅(qū)動SiC MOSFET模塊，碳化硅功率模塊，汽車級全碳化硅功率模塊，電動汽車碳化硅（SiC）大功率模塊，隔離驅(qū)動IC，牽引應(yīng)用SiC-MOSFET功率模塊,汽車電氣化, 牽引逆變器SiC碳化硅功率模塊, 全SiC 功率模塊，主逆變器SiC-MOSFET，工業(yè)、電動汽車和能源應(yīng)用，定制SiC 功率模塊，碳化硅功率模塊，標準封裝SiC MOSFET模塊，封裝技術(shù) | |
| 主營行業(yè)： |
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